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AO3418-VB 产品详细

产品简介:

型号:AO3418-VB
丝印:VB1330
品牌:VBsemi

AO3418-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,适用于多种电路和模块设计,特别是在需要小型尺寸、高性能N-Channel MOSFET的应用中。

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产品参数:

参数:
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:N—Channel
- 最大漏电压(Vds):30V
- 最大漏极电流(Id):6.5A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V

封装:SOT23-3

领域和模块应用:

领域模块应用:
1. **电源模块:** 适用于开关电源、电源逆变器等模块设计,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. **电池保护模块:** 用于电池充放电管理电路,提供高效的电池管理和保护功能。

3. **电机驱动模块:** 由于其高电流和低漏电压特性,可用于电机驱动和控制模块,提供可靠的电流输出和驱动性能。

4. **LED照明模块:** 在需要高亮度和高功率的LED照明系统中,AO3418-VB可以用于开关电源设计,以实现高效的LED照明。

5. **小型化设备:** 由于其小型封装和高性能特性,适用于小型化设备设计,如便携式电子设备、传感器节点等。

请注意,以上是一些典型的应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成AO3418-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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