3LN01C-TB-H-VB - VBsemi MOS管制造商

3LN01C-TB-H-VB 产品详细

产品型号: 3LN01C-TB-H-VB
丝印: VB1330
品牌: VBsemi

3LN01C-TB-H-VB是一款N—Channel沟道的SOT23-3封装场效应晶体管。其特点包括在VGS=10V和VGS=20V时的低漏电阻，适用于需要N—Channel沟道场效应晶体管的电路。

参数:
- 封装类型: SOT23-3
- 沟道类型: N—Channel
- 最大漏极电压: 30V
- 最大漏极电流: 6.5A
- 开启电阻: RDS(ON) = 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.2~2.2V

主要应用领域:
该产品适用于各种电子设备和模块，特别是在需要N—Channel沟道场效应晶体管的电路中。常见应用领域包括功率放大器、开关电源、电源管理等。

请注意: 在使用该产品时，请仔细阅读其数据手册以确保正确的使用和应用。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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