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SW3406-VB 产品详细

产品简介:


SW3406-VB是由VBsemi公司生产的N沟道场效应晶体管,采用SOT23-3封装。该晶体管具有30V的耐压能力和6.5A的额定电流,其静态导通电阻(RDS(ON))在不同Gate-Source电压下分别为30mΩ(VGS=10V)和33mΩ(VGS=4.5V)。其Gate-Source阈值电压(Vth)为1.7V,最大Gate-Source电压(VGS)为20V。

SW3406-VB晶体管在多个领域和模块中的广泛应用,其性能和特点使其成为电子产品设计中的重要组成部分。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:N沟道
- 最大耐压:30V
- 额定电流:6.5A
- 静态导通电阻:
- RDS(ON)@VGS=10V: 30mΩ
- RDS(ON)@VGS=4.5V: 33mΩ
- Gate-Source阈值电压(Vth):1.7V
- 最大Gate-Source电压(VGS):20V

领域和模块应用:

产品应用举例:
SW3406-VB晶体管适用于多种领域和模块,具体包括:
1. 电源管理模块:由于其低导通电阻和高额定电流,可用于开关电源、DC-DC转换器和稳压器等电源管理应用中,提供高效的功率转换。
2. 电机驱动模块:在电机控制电路中,SW3406-VB可作为电机驱动器,用于控制电机的启停、速度调节和转向等功能。
3. LED驱动模块:在LED照明系统中,可将该晶体管用于LED的开关控制,实现LED灯的亮度调节和闪烁控制。
4. 汽车电子模块:由于其耐压能力和高额定电流,可用于汽车电子系统中的电动车窗控制、电动座椅调节和车载娱乐系统等应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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