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SI2306DS-T1-VB 产品详细

产品简介:


SI2306DS-T1-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管,封装为SOT23-3。它具有低电阻、高电流和高电压容忍性的特点,适用于多种应用领域。

SI2306DS-T1-VB可在多个领域和模块中发挥作用,从而满足不同应用的需求。

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产品参数:

详细参数说明:
- 封装:SOT23-3
- 类型:N沟道场效应管
- 最大工作电压:30V
- 最大持续漏电流:6.5A
- 开通电压:1.7V
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V,33mΩ @ VGS=4.5V
- 门源电压(最大值):20V

领域和模块应用:

适用领域和模块:
SI2306DS-T1-VB适用于以下领域和模块:
1. 低压电路保护:由于其低电阻和高电流特性,适用于用于低压电路的过流保护、电池保护等。
2. 电源管理:可用于开关电源、DC-DC转换器等模块中,以提高效率和性能。
3. 汽车电子:在汽车电子系统中,可以用于驱动电机、控制电流等应用。
4. 工业自动化:适用于工业自动化设备中的电机控制、传感器驱动等功能。
5. LED驱动:用于LED照明灯具的电源控制和驱动电路中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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