RU30E4B-VB - VBsemi MOS管制造商

RU30E4B-VB 产品详细

描述
参数
应用
技术支持

产品简介：

该型号RU30E4B-VB是VBsemi品牌的产品，封装为SOT23-3。它是一款N-Channel沟道MOSFET，工作电压为30V，最大承载电流为6.5A。在VGS=10V时，导通电阻为30mΩ，在VGS=4.5V时，导通电阻为33mΩ，阈值电压（Vth）为1.7V。适用于需要高性能开关的电路设计。

文件下载

下载PDF 文档

立即下载

点击查看大图

产品参数：

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：RU30E4B-VB
- 封装：SOT23-3
- MOSFET类型：N-Channel沟道
- 工作电压：30V
- 最大承载电流：6.5A
- 导通电阻：
- VGS=10V时：30mΩ
- VGS=4.5V时：33mΩ
- 阈值电压（Vth）：1.7V

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
1. 电源管理模块：由于其低导通电阻和高承载电流，适用于电源开关、DC-DC转换器等模块。
2. 电机驱动：可用于电机驱动电路中的电流控制和功率放大器部分，提高效率和性能。
3. LED照明控制：由于其低导通电阻和高开关速度，可用于LED驱动电路中，实现高效的照明控制。
4. 电池管理系统：用于电池充放电控制电路中，实现快速充放电和高效能转换。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

推广型号

RU30E4B-VB 产品详细

产品简介：

文件下载

下载PDF 文档

产品参数：

领域和模块应用：

技术支持：

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

微信咨询

一键置顶