产品简介：
应用简介：
WNM2025-3-TR-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道MOSFET，具有20V的额定电压和6A的额定电流。其开态电阻在不同电压下表现优异，适用于高性能的功率开关应用。
WNM2025-3-TR-VB可在需要高性能N—Channel MOSFET的电子设备和模块中提供可靠的功率开关和调节功能。
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产品参数：
WNM2025-3-TR-VB 参数：
- 丝印：VB1240
- 品牌：VBsemi
- 封装：SOT23
- 类型：N—Channel沟道
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- 开态电阻（RDS(ON)）：RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压（Vth）：0.5~1.5V
领域和模块应用：
应用领域：
该器件广泛应用于各种领域，包括但不限于：
1. 电源管理模块
2. 电池管理系统
3. 电机驱动器
4. 逆变器和升压转换器
5. LED照明驱动
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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