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WNM2025-3-TR-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
WNM2025-3-TR-VB是一款SOT23封装的N—Channel沟道MOSFET,具有20V的额定电压和6A的额定电流。其开态电阻在不同电压下表现优异,适用于高性能的功率开关应用。
WNM2025-3-TR-VB可在需要高性能N—Channel MOSFET的电子设备和模块中提供可靠的功率开关和调节功能。

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产品参数:

WNM2025-3-TR-VB 参数:
- 丝印:VB1240
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 类型:N—Channel沟道
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- 开态电阻(RDS(ON)):RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42(mΩ)@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压(Vth):0.5~1.5V

领域和模块应用:

应用领域:
该器件广泛应用于各种领域,包括但不限于:
1. 电源管理模块
2. 电池管理系统
3. 电机驱动器
4. 逆变器和升压转换器
5. LED照明驱动
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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