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TN0200T-T1-E3-VB 产品详细

产品简介:

型号:TN0200T-T1-E3-VB
丝印:VB1240
品牌:VBsemi

应用简介:
TN0200T-T1-E3-VB是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于低电压和低功率应用,以及需要高效的电能控制的电路。

TN0200T-T1-E3-VB MOSFET适用于低电压、低功率应用领域,以帮助提高能效、延长电池寿命和稳定电源输出。这种组件在各种电子模块和电路中广泛应用,以满足不同低功率电子设备的需求。

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产品参数:

参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:20V
- 最大连续电流:6A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 阈值电压(Vth):0.5~1.5V
- 封装类型:SOT23

领域和模块应用:

1. 便携式电子设备:这款N沟道MOSFET适用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,以提供高效的电能控制,延长电池寿命。

2. 电源管理:它可用于电源开关、稳压器和电源供应,以提供高效的电能控制和稳定的电压输出。

3. 电机控制:适用于小型电机控制,如电动工具、风扇、电子玩具等。

4. 消费电子产品:可用于各种消费电子产品,如智能家居设备、音频设备、游戏控制器等。

5. 照明控制:在LED照明控制中,这种MOSFET可以用于提供高效的电源开关和亮度控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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