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SY2302M-VB 产品详细

产品简介:



SY2302M-VB是一款N-Channel沟道的场效应晶体管(FET),具有20V的额定电压和6A的额定电流。其在SOT23封装中,具备较低的开态电阻,适用于多种电源管理和开关控制应用。

SY2302M-VB在需要高性能N-Channel MOSFET的电子模块中,如电源管理、电源开关、驱动和保护模块等方面具有广泛的应用潜力。

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产品参数:

SY2302M-VB 参数说明:
- 丝印:VB1240
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- 开态电阻(RDS(ON)):RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42(mΩ)@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压(Vth):0.5~1.5V

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. **电源管理模块:** 由于SY2302M-VB具有较低的开态电阻和适中的电流容量,可以广泛应用于电源管理模块,例如直流-直流(DC-DC)转换器、稳压器等。

2. **驱动模块:** 作为N-Channel MOSFET,SY2302M-VB可以用于电机驱动、电机控制和其他需要高电流开关的领域。

3. **电源开关模块:** 由于其低阻态特性,SY2302M-VB适用于电源开关模块,提供高效的电源开关功能。

4. **电池保护模块:** 在电池管理系统中,SY2302M-VB可以用于电池保护电路,确保在不同工作条件下电池的安全运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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