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SSM3K309T-VB 产品详细

产品简介:

**SSM3K309T-VB 详细参数说明和应用简介:**

- **品牌:** VBsemi
- **型号:** SSM3K309T-VB
- **封装:** SOT23
- **丝印:** VB1240

**应用简介:**
SSM3K309T-VB 是一款N沟道场效应晶体管,设计用于低电压、高电流的应用。其低导通电阻和宽工作电压范围使其在各种电源和开关应用中得到广泛应用。

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产品参数:

**参数:**
- **类型:** N—Channel沟道
- **工作电压:** 20V
- **最大连续漏极电流:** 6A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42(mΩ)@VGS=2.5V; VGS=8V
- **阈值电压 (Vth):** 0.5~1.5V

领域和模块应用:

**应用领域:**
1. **电源模块:** 适用于低电压稳压和开关电源设计,提供高效的电源管理。
2. **驱动模块:** 作为驱动电路的一部分,用于控制其他电子元件的通断状态。
3. **电流控制模块:** 在需要控制电流的电路中使用,如电机驱动和LED控制。

**使用注意事项:**
1. **电压限制:** 不要超过规定的最大工作电压(20V)。
2. **电流限制:** 避免超过最大连续漏极电流(6A)。
3. **温度控制:** 注意散热,确保芯片在安全的工作温度范围内。
4. **引脚连接:** 确保正确连接到电路,避免引脚短路或连接错误。

以上信息仅供参考,请在使用前查阅产品手册以获取详细的规格和使用指南。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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