型号：SM2300NSAC-TRG-VB
丝印：VB1240
品牌：VBsemi


应用简介：
SM2300NSAC-TRG-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），具有低电压、适度电流承受能力和低导通电阻。它适用于多种低功耗电子应用，特别是需要高效、低电压操作和紧凑尺寸的应用。

详细参数说明：
1. **类型**：这是一款N沟道MOSFET，意味着它在输入正电压时导通。这种类型的MOSFET通常用于开关和调节电路中。

2. **额定电压（Vds）**：它可以承受的最大漏极-源极电压为20V。这表示在正常工作条件下，其电压应不超过20V。

3. **最大持续电流（Id）**：这款MOSFET的最大电流承受能力为6A。虽然不是非常高，但在低功耗应用中仍然足够。

4. **导通电阻（RDS(ON)）**：RDS(ON)是导通状态下的电阻，它影响MOSFET的功耗和效率。在4.5V的门源电压下，它的RDS(ON)为24mΩ，而在2.5V下为33mΩ。低导通电阻表示它可以在导通状态下产生较少的功耗。

5. **门源电压范围（Vgs）**：MOSFET的门源电压范围为8V，这表示需要至少8V的电压来控制它的导通状态。

6. **阈值电压范围（Vth）**：这款MOSFET的阈值电压范围为0.5-1.5V。这是启动MOSFET导通的门源电压范围。

7. **封装**：这款MOSFET采用SOT23封装，这是一种小型封装，适用于小型电路板和空间受限的应用。