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SI2314EDS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
该晶体管适用于各种电子模块,特别是需要 N-Channel 沟道的应用。由于其低阻态时的 RDS(ON) 和适中的电压/电流额定值,可用于功率开关和放大电路。

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产品参数:

VBsemi SI2314EDS-T1-GE3-VB 晶体管:

- 类型:N-Channel 沟道
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42(mΩ)@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压:0.5~1.5V
- 封装:SOT23

领域和模块应用:

领域和模块应用:
1. 电源模块:适用于电源开关和调节器。
2. 驱动器模块:可用于电机驱动和其他电子设备的驱动电路。
3. LED 照明模块:用于 LED 驱动电路。
4. 通信模块:在通信设备中作为功率放大器或开关元件。
5. 汽车电子模块:适用于汽车电子系统的电路设计。

这些晶体管广泛应用于需要 N-Channel 沟道 MOSFET 的各种领域和电子模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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