推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

SI2312BDS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

型号:SI2312BDS-T1-GE3-VB
丝印:VB1240
品牌:VBsemi

应用简介:
SI2312BDS-T1-GE3-VB 是一款N沟道低电压低导通电阻MOSFET,适用于需要高性能功率开关的低电压电子应用。

这些是一些可能用到 SI2312BDS-T1-GE3-VB N沟道低电压低导通电阻MOSFET 的应用领域模块的示例。该器件的参数使其适用于需要低电压和低导通电阻的低电压应用,特别是在需要高性能功率开关的场合。在实际应用中,请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件,以确保最佳性能和可靠性。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:20V
- 最大连续电流:6A
- 静态开启电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V
- 门源极电压(Vgs):8V(±V)
- 阈值电压(Vth):0.5~1.5V
- 封装类型:SOT23

领域和模块应用:

以下是一些可能的应用领域模块:

1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于低电压电源开关模块,以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备和低电压电源系统。

2. **电池管理模块**:在便携式设备和电池供电系统中,此MOSFET可用于电池管理系统,包括电池保护和电池充放电控制。

3. **低电压DC-DC变换器**:SI2312BDS-T1-GE3-VB 可用作低电压DC-DC变换器的开关器件,用于电压升降和电能转换。

4. **低电压电源放大模块**:在音频放大器和低电压电源放大器等模块中,此MOSFET可用于提供信号放大和电力放大。

5. **低电压电子模块**:在需要低电压电源管理和功率开关的应用中,如便携式医疗设备和低电压传感器节点,这款MOSFET可以用于功率管理和电源控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询