产品参数:
型号:SI2302DS-VB
丝印:VB1240
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:N沟道
- 额定电压:20V
- 最大电流:6A
- 导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs
- 阈值电压(Vth):0.5~1.5V
- 封装:SOT23
领域和模块应用:
**应用领域和模块说明:**
1. **电源模块**:
- 由于其低导通电阻和适中的电流承受能力,SI2302DS-VB适用于小型电源模块。
- 可用于便携式电子设备、电池充电管理模块以及低功耗电源供应。
2. **LED驱动模块**:
- 该MOSFET的低导通电阻有助于提高LED驱动模块的效率。
- 用于LED照明驱动、LED显示屏控制等领域,实现高亮度和能效。
3. **电机驱动模块**:
- SI2302DS-VB适用于小型电机驱动模块,如小型风扇、电动工具等。
- 在需要快速切换的应用中表现出色,提高了电机效率。
4. **无线通信模块**:
- 在无线通信设备中,SI2302DS-VB可用于功率放大器和信号开关。
- 有助于提高无线通信模块的性能和功耗效率。
5. **移动设备模块**:
- 由于其小型封装(SOT23)和低功耗特性,适用于移动设备的电源管理模块和充电模块。
- 帮助延长移动设备电池寿命和提高充电效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性