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SI2302ADS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:



应用简介:
SI2302ADS-T1-GE3-VB是一款N沟道MOSFET,具有低阈值电压、低开态电阻和适中的电流电压特性。这些特性使得它在多种低功耗、低电压应用中非常有用。

SI2302ADS-T1-GE3-VB适用于多种低功耗、低电压应用领域,包括便携式电子设备、电压调节器、电池保护、开关应用和低压逻辑级转换等模块。其低阈值电压和低开态电阻使其成为实现高效、低功耗电路操作的理想选择。

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产品参数:

型号:SI2302ADS-T1-GE3-VB
丝印:VB1240
品牌:VBsemi
参数:
- N沟道
- 额定电压:20V
- 最大电流:6A
- 开态电阻 (RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth):0.5~1.5V
- 封装:SOT23

领域和模块应用:

主要特点和应用领域:
1. **低功耗电子设备**:由于SI2302ADS-T1-GE3-VB具有较低的阈值电压和开态电阻,因此适用于低功耗电子设备,例如便携式电子设备、智能手持设备和传感器节点。它可以帮助延长电池寿命。

2. **电压调节器**:该MOSFET可用于电压调节器电路,以实现高效的电压降压或升压,特别是在低输入电压的情况下。

3. **电池保护**:在移动设备和电池供电系统中,SI2302ADS-T1-GE3-VB可以用于电池保护电路,确保电池充电和放电过程中的安全性和稳定性。

4. **开关应用**:由于其高电流额定值,这款MOSFET也适用于开关电路,例如开关电源和开关控制。

5. **低压逻辑级转换**:由于其低阈值电压,SI2302ADS-T1-GE3-VB可用于逻辑电平的转换,帮助不同电平之间的互联。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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