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SI2300DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:


应用简介:SI2300DS-T1-GE3是一款适用于中电流、低电压的N沟道MOSFET。
其低阈值电压使其适合低电压逻辑驱动。
常用于移动设备、低电压应用等。
优势:适用于低电压逻辑驱动:低阈值电压特性适合低电压逻辑控制。

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产品参数:

SI2300DS-T1-GE3 参数:N沟道, 20V, 6A, RDS(ON) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V), 0.5~1.5Vth(V), SOT23

领域和模块应用:

适用于移动设备:适用于移动设备、低电压应用等领域。
适用模块:SI2300DS-T1-GE3适用于移动设备和低电压应用的控制模块,如手机、平板电脑等。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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