产品简介：
**应用简介：**
RQK0204TGDQATL-E-VB 是一款 N-Channel 沟道功率 MOSFET，采用 SOT23 封装。具有低开态电阻和适中的电压和电流额定值，适用于多种电源和开关应用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N-Channel |
20V |
12（±V） |
0.5~1.5V |
6A |
42（mΩ） |
28(mΩ) |
|
|
**RQK0204TGDQATL-E-VB**
- **丝印：** VB1240
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23
- 沟道类型：N-Channel
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- 开态电阻：RDS(ON) = 24mΩ @ VGS = 4.5V, VGS = 8V
- 阈值电压：Vth = 0.5~1.5V
领域和模块应用：
**应用领域：**
1. **电源模块：** 适用于轻型电源模块设计，提供有效的功率转换。
2. **LED 驱动器：** 由于其低阈值电压和适中的电流能力，可用于 LED 驱动器电路。
3. **电池保护：** 在便携式电子设备中，可用于电池保护回路，确保电池的安全运行。
4. **电机控制：** 在小型电机控制模块中，提供可靠的电流开关。
**注意：** 在具体应用前，请仔细查阅相关的数据手册和规格说明，确保该器件符合特定应用的要求。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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