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MVSF2N02ELT1G-VB 产品详细

产品简介:

MVSF2N02ELT1G-VB

丝印:VB1240

品牌:VBsemi

MVSF2N02ELT1G-VB是一款SOT23封装的N沟道场效应晶体管。具有20V的最大工作电压、6A的最大工作电流,以及低导通电阻(RDS(ON)=24mΩ)。阈值电压范围在0.5~1.5V之间。

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产品参数:

**参数:**
- 封装:SOT23
- 沟道类型:N—Channel
- 最大工作电压:20V
- 最大工作电流:6A
- 导通电阻:RDS(ON)=RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42(mΩ)@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压:Vth=0.5~1.5V

领域和模块应用:

**应用领域:**
该产品适用于需要N沟道场效应晶体管的电子电路设计,特别是在以下领域和模块中有广泛的应用:
1. **电源管理模块:** 用于电源开关和调节电路,实现高效的电源管理。
2. **驱动器模块:** 作为电机驱动器和其他设备的开关元件,提供可靠的电流控制。
3. **LED驱动模块:** 用于LED照明系统,帮助实现高效能耗和亮度控制。

这些领域的应用需要高性能的N沟道场效应晶体管,而MVSF2N02ELT1G-VB的特性使其成为这些模块中的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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