产品简介：
MI2312-VB是VBsemi生产的SOT23封装的N沟道场效应晶体管。
- 应用简介：
- 适用于需要N沟道场效应晶体管的电路和模块。
- 可用于电源管理、功率放大和开关电源等应用。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N-Channel |
20V |
12（±V） |
0.5~1.5V |
6A |
42（mΩ） |
28(mΩ) |
|
|
参数：
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- RDS(ON)：RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压：0.5~1.5V
领域和模块应用：
领域和模块应用：
- 电源管理模块
- 电流控制模块
- 开关电源模块
- 电流放大器模块
该器件适用于需要高性能N沟道场效应晶体管的电子设备，特别是在电源管理和功率控制领域。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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