产品参数:
型号:MGSF2N02ELT1G-VB
丝印:VB1240
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:N沟道
- 额定电压:20V
- 最大电流:6A
- 导通电阻(RDS(ON)):24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs
- 阈值电压范围(Vth):0.5V 至 1.5V
- 封装:SOT23
领域和模块应用:
**应用领域和模块说明:**
1. **电源模块**:
- 由于其低导通电阻和适中的电流承受能力,MGSF2N02ELT1G-VB适用于小型电源模块。
- 可用于便携式电子设备、电池充电管理模块、低功耗电源等领域,提供高效的电能转换。
2. **开关电路**:
- 该MOSFET可用于各种开关电路中,如开关调光、开关电源、PWM控制等。
- 在照明、通信设备、电源逆变器等领域中用于实现高效的开关控制。
3. **信号放大模块**:
- MGSF2N02ELT1G-VB的低阈值电压范围使其适用于信号放大和调节模块。
- 在音频放大器、信号处理电路、传感器接口等领域中用于信号处理和放大。
4. **便携式电子设备**:
- 由于其小型封装和低功耗特性,该MOSFET适用于便携式电子设备。
- 可用于智能手机、平板电脑、便携式音频设备等领域,实现高效的电源管理。
5. **电池管理模块**:
- 在需要低功耗和高效能源管理的电池管理模块中,该MOSFET可用于电池充电和放电控制。
- 用于便携式电子设备、太阳能充电器、便携式充电宝等领域,提供可靠的电池管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性