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MGSF1P02ELT1G-VB 产品详细

产品简介:



**应用简介:**

MGSF1P02ELT1G-VB 是一款 N-Channel 类型的 SOT23 封装场效应晶体管。其特点包括 20V 的额定电压,6A 的额定电流,以及低导通电阻(RDS(ON))等。适用于要求高性能和高效率的电子应用。

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产品参数:

MGSF1P02ELT1G-VB 丝印:VB1240 品牌:VBsemi

**详细参数说明:**

- 封装类型:SOT23
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42(mΩ)@VGS=2.5V; VGS=8V
- 閘極閾值電壓(Vth):0.5~1.5V

领域和模块应用:

**领域应用:**

1. **电源开关模块:** 由于 MGSF1P02ELT1G-VB 具有低导通电阻和高电流特性,可用于电源开关模块,提供高效的电源开关控制。

2. **电机驱动:** 作为 N-Channel 场效应晶体管,适用于电机驱动模块,如直流电机控制、步进电机控制等,以提供可靠的电流控制。

3. **电源逆变器:** 适用于电源逆变器,可用作逆变器电路中的关键开关元件,以实现直流到交流的能量转换。

4. **LED 驱动:** 用于 LED 驱动电路,以实现对 LED 灯的电流控制,确保照明系统的稳定性和高效性。

请注意,具体的应用可能会因设计要求和环境而有所不同。在使用该器件时,请参考厂商提供的数据手册和应用指南,以确保正确使用并满足特定设计的要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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