产品简介：
MGSF1N02ELT1G-VB 是VBsemi品牌的SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管。
适用于SOT23封装的应用场景，其中需要N-Channel沟道MOSFET。常见领域包括电源管理、功率放大、开关电源等。
文件下载
产品参数：
参数包括：20V耐压，6A电流，RDS(ON)为24mΩ（在VGS=4.5V、VGS=8V时），阈值电压Vth在0.5~1.5V之间。
**详细参数说明：**
- 耐压：20V
- 电流：6A
- RDS(ON)：RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压：0.5~1.5V
领域和模块应用：
**应用领域：**
1. **电源管理模块：** 用于稳定和管理电源输出。
2. **功率放大模块：** 在放大电路中提供高效能的功率放大。
3. **开关电源：** 用于开关电源中的开关控制。
这些晶体管可广泛应用于需要可靠的开关和调节功能的电子设备中。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
