产品简介：
型号：IRLML2502GTRPBF-VB
丝印：VB1240
品牌：VBsemi
封装：SOT23
IRLML2502GTRPBF-VB是一款N—Channel沟道场效应晶体管，具有低漏电流、低漏电压、低导通电阻等卓越特性。采用SOT23标准封装，适用于多种电子应用。
文件下载
产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-N-Channel |
20V |
12（±V） |
0.5~1.5V |
6A |
42（mΩ） |
28(mΩ) |
|
|
**详细参数说明：**
- **沟道类型（Channel Type）：** N—Channel
- **最大漏电流（Maximum Drain Current）：** 6A
- **最大漏电压（Maximum Drain-Source Voltage）：** 20V
- **导通电阻（On-Resistance）：** RDS(ON)=RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V; VGS=8V
- **阈值电压（Gate Threshold Voltage）：** Vth=0.5~1.5V
领域和模块应用：
**主要应用领域模块：**
1. **电源开关模块：** 适用于电源开关模块，实现高效的电源控制和管理，特别在低至中功率的应用中表现出色。
2. **电流控制模块：** 由于其低漏电流和低导通电阻，可用于电流控制模块，确保对负载电流的精准控制。
3. **LED驱动模块：** 适用于LED驱动模块，特别是在需要高效能耗和高亮度的照明系统中。
4. **电池保护模块：** 适用于电池保护电路，提供对电池的有效保护。
**使用注意事项：**
- 请按照厂家提供的规格书和应用指南使用，并确保工作条件在组件的规定范围内。
- 确保电路设计合理，以防过电流、过电压等情况对器件造成损害。
- 注意适当的散热设计，特别是在高功率应用中，以确保器件在正常工作温度范围内。
- 遵循焊接和封装的相关标准，确保器件与电路板的可靠连接。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
立即下载
中文
English
返回上级页面
