产品简介：
型号：FDN335N-NL-VB
丝印：VB1240
应用简介：
FDN335N-NL-VB是一款N沟道场效应晶体管，适用于低功率电子应用。它具有适度的导通电阻和耐压特性，适合用于小型电子系统。
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产品参数：
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 最大耐压：20V
- 最大漏电流：6A
- 静态导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ 4.5V, 33mΩ @ 2.5V, 8Vgs (±V)
- 阈值电压（Vth）：0.5V to 1.5V
- 封装：SOT23
领域和模块应用：
领域模块应用：
1. 电源开关模块：FDN335N-NL-VB可用于低功率电源开关应用，如便携式电子设备和电池供电设备。
2. 信号开关：适用于低功率信号开关和控制电路，如小型开关电路和信号切换器。
3. 低功耗模块：在需要低功耗的模块中，如传感器节点、小型控制器，可发挥作用。
这些特性使FDN335N-NL-VB在小型低功率电子应用中有广泛的应用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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