产品简介：
2312N-VB
- 丝印: VB1240
- 品牌: VBsemi
- 封装: SOT23
2312N-VB适用于多种电子设备和模块，主要用于需要N-Channel沟道类型场效应晶体管的应用场景。
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产品参数：
**参数:**
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 20V
- 额定电流: 6A
- RDS(ON): RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V; VGS=8V
- 阈值电压 (Vth): 0.5~1.5V
**封装:**
- SOT23
**详细参数说明:**
2312N-VB是VBsemi生产的N-Channel沟道类型场效应晶体管，采用SOT23封装。其额定电压为20V，额定电流为6A，具有低导通电阻（RDS(ON)）为RDS(ON)=28(mΩ)@VGS=4.5V,42（mΩ）@VGS=2.5V;和VGS=8V。阈值电压（Vth）在范围0.5~1.5V之间。
领域和模块应用：
其常见应用包括但不限于：
1. **电源模块:** 在电源开关和稳压模块中，提供高效能量转换。
2. **电机驱动:** 作为电机驱动模块的关键组件，实现可靠的功率控制。
3. **DC-DC转换器:** 用于直流-直流转换，实现不同电压水平之间的高效能量转换。
2312N-VB的性能和特性使其成为各种电子产品设计中理想的选择。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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