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TSM2314CX RF-VB 产品详细

产品简介:

VBsemi TSM2314CX RF-VB 是一款 N 沟道 MOSFET,采用 SOT23-3 封装。

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产品参数:

以下是该产品的详细参数:

- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:N 沟道
- 最大工作电压:20V
- 最大连续漏极电流:6A
- 导通电阻(RDS(ON)):
- @ VGS=4.5V 时:28mΩ
- @ VGS=2.5V 时:42mΩ
- 阈值电压(Vth):0.5~1.5V
- 最大门源电压(VGS):8V

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:

1. 射频前端模块:由于其快速开关特性和低导通电阻,TSM2314CX RF-VB 可用于射频前端模块中的功率放大器、开关和匹配网络等部分,用于增强无线通信系统的性能。

2. 射频功率放大器:在射频通信系统中,该 MOSFET 可用作射频功率放大器的关键组成部分,用于提供高效、稳定的信号放大功能。

3. 无线通信设备:适用于无线路由器、基站和无线局域网设备等无线通信设备中的功率控制和开关功能。

4. 射频调制器:在射频调制器中,TSM2314CX RF-VB 可用于实现信号调制、调节和放大,用于优化射频信号传输的质量和稳定性。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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