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TSM2302CX RF-VB 产品详细

产品简介:

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TSM2302CX RF-VB是由VBsemi生产的N-沟道MOSFET,封装为SOT23-3。它具有低压降和高效率的特点,适用于多种射频(RF)应用和电源管理领域。


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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:TSM2302CX RF-VB
- 封装:SOT23-3
- 类型:N-Channel沟道MOSFET
- 工作电压:20V
- 最大电流:6A
- 导通电阻:28mΩ @ VGS=4.5V, 42mΩ @ VGS=2.5V
- 阈值电压:0.5~1.5V
- 最大门源电压:8V

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 射频(RF)应用:TSM2302CX RF-VB具有低压降和快速响应特性,适用于射频功率放大器、射频开关和射频前端模块等应用。
2. 无线通信模块:由于其高效能和高频特性,该型号适合用于无线通信系统中的功率放大器和调制器,提供稳定的信号输出。
3. 电源管理模块:在电源管理领域,TSM2302CX RF-VB可用于DC-DC转换器、稳压器和开关电源,实现高效能的功率转换。
4. 高频功率放大模块:在高频功率放大器中,该型号可以提供高效的功率放大和信号增益,用于无线通信、雷达和射频控制等应用。

这些示例说明了TSM2302CX RF-VB在射频应用、无线通信、电源管理和高频功率放大等多个领域和模块上的广泛应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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