SI2342DS-T1-VB - VBsemi MOS管制造商

SI2342DS-T1-VB 产品详细

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产品简介：

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SI2342DS-T1-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管，封装为SOT23-3。它具有20V的耐压，最大电流可达6A。在VGS=4.5V时，其导通电阻为28mΩ，在VGS=2.5V时为42mΩ。门源电压（Vth）在0.5~1.5V范围内变化。该器件适用于各种电子设备和模块。

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产品参数：

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds2.5	Rds4.5	Rds10	Technology
SOT23-3	Single-N-Channel	20V		0.5~1.5V	6A	42（mΩ）	28(mΩ)		Trench

VB Package	Configuration	VCE	VGE	VGEth(V)	VCEsat15V	ICE	Technology
SOT23-3	Single-N-Channel						Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds18	Technology
SOT23-3	Single-N-Channel	20V		0.5~1.5V	6A		Trench

VB Package	Configuration	VDS(V)	VGS	Vthyp（V）	ID(A)	Rds6	Technology
SOT23-3	Single-N-Channel	20V		0.5~1.5V	6A		Trench

详细参数说明：
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：N沟道
- 最大耐压：20V
- 最大电流：6A
- 导通电阻：28mΩ @ VGS=4.5V, 42mΩ @ VGS=2.5V
- 门源电压范围：0.5~1.5V
- 最大门源电压：8V

领域和模块应用：

适用领域和模块：
1. 电源管理模块：由于SI2342DS-T1-VB具有较低的导通电阻和较高的耐压，可用于电源开关和电池管理电路中，提供高效的电源管理。
2. 电机驱动模块：其较大的电流承受能力使其适用于电机驱动器模块，例如电动工具、小型电动车等领域。
3. LED驱动模块：适用于LED灯驱动模块，可提供稳定的电流输出，保证LED的工作效果和寿命。
4. 低压断路器：由于其低导通电阻和高耐压特性，可用于低压断路器模块，保护电路免受过载和短路等故障的影响。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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