MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBGQT1101 产品详细

产品简介:

产品型号:VBGQT1101

品牌:VBsemi

参数:
- 单体N型场效应晶体管(Single N)
- 额定漏极-源极电压(VDS):100V
- 额定栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 在VGS=10V时,漏源电阻:1.2mΩ
- 漏极电流(ID):350A
- 技术:SGT(Silicon-Germanium Technology)

封装:TOLL

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

VBGQT1101是一款单体N型场效应晶体管,具有以下特点:
- 高电压承受能力:额定漏极-源极电压(VDS)为100V,适合在高压环境下工作。
- 宽工作电压范围:额定栅极-源极电压(VGS)为±20V,可适应多种电源电压。
- 低阈值电压:阈值电压(Vth)为3V,具有快速响应特性。
- 低漏源电阻:在VGS=10V时,漏源电阻仅为1.2mΩ,有助于减少功率损耗。
- 高漏极电流:漏极电流(ID)高达350A,适合高功率应用场景。

领域和模块应用:

应用举例:
1. 电源模块:VBGQT1101适用于电源模块中的功率开关,能够提供高效稳定的电源转换和调节功能,广泛应用于电力电子领域的直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)变换器中。
2. 电动车控制器:由于VBGQT1101具有高漏极电流和低漏源电阻,因此非常适合用作电动车控制器中的功率开关元件,能够实现电动车的高效能量转换和驱动控制。
3. 工业自动化:在工业自动化领域,VBGQT1101可用于电机驱动、变频器、UPS(不间断电源系统)等高功率应用中,提供可靠的功率开关功能,确保设备的稳定运行和高效能量利用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询