应用简介：
这款 SiC-S 技术的 MOSFET，具有高电压、高漏极电流和低导通电阻的特点，适合在高压、高频率的功率电子应用中使用。其单通道 N 型配置使其适用于各种单端或双端功率转换器和逆变器设计。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO263-7L | Single N | 1200V | -10 / +22 | 2~4 | 30A | 80 |
产品名称: VBL712MC30
封装类型: TO263-7L
配置: 单通道 N 型
最大漏极-源极电压 (VDS): 1200V
门极-源极电压范围 (VGE): -10V 到 +22V
阈值电压 (Vthtyp): 2~4V
漏极-源极导通电阻 @ VGS=18V (RDS(on)@VGS=18V): 典型值为 80mΩ
漏极电流 (ID): 30A
技术: 碳化硅（SiC-S）
举例说明：
1. **工业电源**：VBL712MC30 可以用于设计工业级变频器、交流调速器和其他需要高效能和高可靠性的工业电源系统。
2. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，VBL712MC30 可以用作高效能的功率开关，提高光伏发电系统的转换效率。
3. **电动车充电桩**：由于其高电压和高漏极电流特性，这款 MOSFET 适用于电动车充电桩中的高功率充电系统，提供快速而稳定的充电效果。
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