SiC MOSFET

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VBP112MC100-4L 产品详细

产品简介:

这种产品适用于高压、高温和高频应用,具有低导通电阻和高耐受能力的特点。它们通常用于电力电子模块和系统中,特别是在需要高效能和高性能的领域。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(V): 额定1200V的漏极-源极电压。
- VGE(±V): 门极-源极电压范围为-10V到+22V。
- Vthtyp(V): 典型的门极阈值电压为2至4V。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ): 在门极-源极电压为18V时,典型的导通电阻为21mΩ。
- ID (A): 额定100A的漏极电流。
- 技术: 使用SiC-S技术。

领域和模块应用:


举例说明:
1. 电动汽车充电桩模块: 由于VBP112MC100-4L具有高电压和高电流承受能力,可以用作电动汽车充电桩中的功率开关,确保充电过程的高效率和稳定性。
2. 太阳能逆变器模块: 在太阳能电池板转换直流电为交流电的过程中,需要高效的逆变器来确保能量转换的效率。VBP112MC100-4L的低导通电阻和高功率特性使其成为太阳能逆变器模块的理想选择,有助于最大程度地提取太阳能电池板的能量。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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