该产品是一种单N型碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，具有以下详细参数说明：
- VDS(V)：漏极-源极最大耐压为1200V，适用于高压应用场合。
- VGE（±V）：门极-源极电压范围为-10V至+22V，用于控制器件导通和关断。
- Vthtyp(V)：典型的门极阈值电压为2~4V，指示器件开始导通的门极驱动电压。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ)：在门极驱动电压为18V时，导通时的漏极-源极导通电阻为80mΩ。
- ID（A）：最大漏极电流为30A，指示器件能够承受的最大电流。
- 技术：采用SiC-S（Silicon Carbide-Super Junction）技术，具有碳化硅超级结构技术，提供更低的导通电阻和更高的开关速度。
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| VB Package | Configuration | VDS(V) | VGS | Vthyp（V） | ID(A) | Rds18 | Technology |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TO247 | Single-N | 1200V | -10 / +22 | 2~4 | 30A | 80 |
产品名称：VBP112MC30
VB封装：TO247
配置：单N型MOSFET
VDS(V)：1200
VGE（±V）：-10 / +22
Vthtyp(V)：2~4
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ)：80
ID（A）：30
技术：SiC-S
该产品适用于以下领域和模块：
1. **电力电子转换器：** 由于其高耐压和低导通电阻特性，适用于电力电子转换器中的直流到交流转换，如逆变器、变频器等，用于电网接入和电力调节。
2. **电动车辆驱动系统：** 在电动车辆驱动系统中，该产品可用于电机控制模块，实现电能的转换和调节，提供高效的动力输出。
3. **太阳能逆变器：** 用于太阳能逆变器中，将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电，适用于太阳能发电站和光伏电站等太阳能发电系统。
4. **工业高压应用：** 适用于工业高压应用场合，如电力系统的控制和管理、工厂和生产线的电力电子设备等。
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