该产品是一种单N型碳化硅（SiC）功率MOSFET器件，具有以下详细参数说明：

- VDS(V)：漏极-源极最大耐压为1200V，适用于高压应用场合。
- VGE（±V）：门极-源极电压范围为-10V至+22V，用于控制器件导通和关断。
- Vthtyp(V)：典型的门极阈值电压为2~4V，指示器件开始导通的门极驱动电压。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ)：在门极驱动电压为18V时，导通时的漏极-源极导通电阻为80mΩ。
- ID（A）：最大漏极电流为30A，指示器件能够承受的最大电流。
- 技术：采用SiC-S（Silicon Carbide-Super Junction）技术，具有碳化硅超级结构技术，提供更低的导通电阻和更高的开关速度。