SiC MOSFET

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VBP112MC60-4L 产品详细

产品简介:

产品型号:VBP112MC60-4L
封装:TO247-4L
配置:单N
VDS(V):1200
VGE(±V):-10 / +22
Vthtyp(V):2~4
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):40
ID(A):60
技术:SiC-S

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(V):最大漏极-源极电压为1200V,适用于高压应用。
- VGE(±V):门极-源极电压范围为-10V至+22V,可控制MOSFET的导通和关断。
- Vthtyp(V):典型门极-源极阈值电压为2至4V,是控制MOSFET导通的重要参数之一。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):在18V的门极-源极电压下,导通时的漏极-源极电阻为40毫欧姆,具有低导通电阻。
- ID(A):最大连续漏极电流为60A,适用于高电流应用。
- 技术:采用SiC-S技术,可能指代碳化硅技术,具有高功率密度和高温性能。

领域和模块应用:

应用简介:
该产品适用于高压和高电流的应用领域,例如:
1. 电力转换器:用于电力电子变换器、UPS系统和充电器等高功率转换器中,提供可靠的功率开关控制。
2. 汽车电子:适用于电动汽车和混合动力汽车中的电动驱动系统、充电桩和直流-直流变换器等,支持车载电力系统的高效能转换。
3. 太阳能和风能应用:用于太阳能逆变器、风力发电控制器和电网连接系统等,提高清洁能源的转换效率和稳定性。

举例说明:
- 在电力电子变换器模块中,VBP112MC60-4L可用作关键的功率开关器件,帮助实现电能的高效转换和稳定输出。
- 在电动汽车电机控制器中,该产品可以作为电机驱动模块的核心组件,实现电动汽车的高效驱动和动力输出。
- 在太阳能逆变器和风力发电控制器中,VBP112MC60-4L可用于设计高效稳定的能源转换器,实现清洁能源的可持续利用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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