SiC MOSFET

您现在的位置 > 首页 > SiC MOSFET

VBP112MC63-4L 产品详细

产品简介:

产品型号:VBP112MC63-4L

封装类型:TO247-4L

配置:单N

VDS(V):1200

VGE(±V):-4 / +22

Vthtyp(V):2~5

RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):32

ID(A):63

技术:SiC(碳化硅)

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:



**详细参数说明:**

- VDS(V):1200V,表示最大允许的漏极-源极电压,决定了器件的电压承受能力。

- VGE(±V):-4 / +22V,表示栅极-源极之间的最大允许电压,指示了产品的电压控制范围。

- Vthtyp(V):2~5V,栅极-源极阈值电压的典型值,表示器件开始导通的电压范围。

- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):32mΩ,在栅极电压为18V时,漏极-源极导通电阻的典型值,用于评估器件的导通性能。

- ID(A):63A,漏极电流,代表了器件的输出能力。

领域和模块应用:

**应用简介:**

该产品是一款碳化硅(SiC)技术的器件,适用于高压、高频、高温的应用场合,具有以下特点:

1. **电力变换器:** 适用于电力变换器模块,如直流-交流逆变器、交流-直流整流器等,在电力系统中实现能源转换和调节。

2. **电动汽车充电器:** 用于电动汽车充电器模块,能够提供高效、快速的充电服务,满足电动汽车日益增长的市场需求。

3. **太阳能逆变器:** 在太阳能逆变器中发挥作用,将太阳能板收集的直流电转换为交流电,供给家庭或商业用电。

4. **高频电源:** 在高频电源模块中应用,如无线充电器、高频电炉等,帮助实现高效能源转换和高频率输出。

5. **电力传输与配电:** 用于电力传输和配电系统中的开关模块,保障电力系统的安全稳定运行,提高能源利用效率。

通过以上例子可以看出,VBP112MC63-4L型号的器件适用于多种领域的模块和设备中,具有高压、高频、高温的特点,适合于要求性能稳定、效率高的应用场合。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询