SiC MOSFET

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VBP165C70-4L 产品详细

产品简介:

产品名称:VBP165C70-4L
封装类型:TO247-4L
配置:单极N型
VDS(V):650V
VGE(±V):-4 / +22V
Vthtyp(V):2~5V
RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):30mΩ
ID (A):70A
技术:SiC(碳化硅)

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产品参数:



**详细参数说明:**
- VDS(V):漏极-源极的最大工作电压为650V。
- VGE(±V):网格-源极的最大工作电压为-4V至+22V。
- Vthtyp(V):阈值电压的典型值范围为2至5V。
- RDS(on)@VGS=18Vtyp(mΩ):在VGS=18V时,漏极-源极的导通电阻的典型值为30mΩ。
- ID (A):最大连续输出电流为70A。
- 技术:采用SiC(碳化硅)技术。

领域和模块应用:

**应用简介:**
这种单极N型封装的器件具有高功率密度、低导通损耗和高温稳定性,适用于以下领域和模块:
1. 工业电力控制:用于电力电子变流器、电机驱动器等。
2. 汽车电子:适用于电动汽车的电机驱动模块、充电桩等。
3. 新能源应用:例如太阳能逆变器、风力发电系统等。
4. 高频电源:用于高频开关电源、电网连接器等。

举例说明:
- 在工业电力控制领域,这种器件可用于电力电子变流器,将交流电转换为直流电以供各种电气设备使用。
- 在汽车电子模块中,它可以用于电动汽车的电机驱动器,实现电机的高效运行。
- 在新能源领域,这种器件可用于太阳能逆变器,将太阳能板产生的直流电转换为交流电供电。
- 在高频电源模块中,它可以用于高频开关电源,实现高效能源转换和节能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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