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VBPB112MI40 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBPB112MI40是一款TO3P封装的IGBT+FRD器件。它的主要特点包括1200V的耐压、±30V的门极-发射极电压、5.5V的门极-发射极阈值电压、1.55V的VCEsat(在VGE=15V时)、40A的最大集电极电流。采用FS技术制造。



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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBPB112MI40
- 封装:TO3P
- 结构:IGBT+FRD
- 集电极-发射极耐压:1200V
- 门极-发射极电压:±30V
- 门极-发射极阈值电压:5.5V
- VCEsat(在VGE=15V时):1.55V
- 最大集电极电流:40A
- 技术:FS

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电力电子模块:VBPB112MI40适用于工业电力电子领域,如电力变频器、电机驱动器、电力调节器等模块中,用于高压高功率的电力控制和转换。
2. 高压逆变器模块:由于其高耐压特性,VBPB112MI40可用于高压逆变器模块,例如高压直流输电系统的逆变器,用于将直流电转换为交流电以供电网使用。
3. 高压直流电源模块:在需要大电流输出的场合,如工业用途中的电镀、电解等,VBPB112MI40可用于高压直流电源模块,提供稳定可靠的电力输出。
4. 高速电机控制模块:由于其高功率特性,VBPB112MI40可用于高速电机控制模块,例如风力发电机的转换控制器,用于调节风力发电机的输出功率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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