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VBP112MI25B 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP112MI25B是一款TO247封装的单路N型IGBT器件。它具有1200V的VCE(电压)、±30V的VGE(门极电压)、5.5V的VGEth(门极阈值电压)、2V的VCEsat(饱和电压,VGE=15V)、25A的ICE(集电极电流)等参数。采用BD技术。



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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP112MI25B
- 封装类型:TO247
- 配置:单路N型
- 最大集电极-发射极电压(VCE):1200V
- 门极电压(VGE):±30V
- 门极阈值电压(VGEth):5.5V
- 饱和电压(VCEsat):2V(在VGE=15V时)
- 最大集电极电流(ICE):25A
- 技术:BD

领域和模块应用:

产品应用领域和模块举例:
1. 高压电源模块:用于电力电子系统中的高压直流电源模块,例如X射线设备、激光器等。
2. 工业焊接设备:应用于工业焊接机器的功率开关模块,实现高效能的电力转换和控制。
3. 风力发电控制器:在风力发电系统的功率控制器中,提供可靠的电力转换和调节功能。
4. 电力输配设备:适用于电网输配系统中的电力开关模块,实现电能的调节和分配。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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