- **VCE(V):** 600/650V - 这是器件的集电极-发射极电压额定值,表示器件在工作时能够承受的最大电压。
- **VGE(±V):** ±20V - 这是门极-发射极电压的额定值,表示控制器可以施加的最大门极电压。
- **VGEth(V):** 5V - 这是门极阈值电压,表示需要施加到门极的电压,以使器件开始导通。
- **VCEsat (V)typ@ VGE=15V:** 1.9V - 这是在给定的门极电压下,器件的饱和漏压。
- **ICE (A):** 25A - 这是器件的集电极电流额定值,表示器件在工作时能够承受的最大电流。
- **Technology:** SJ - 这表示器件采用了现代的硅基材料制造工艺。
这种IGBT+FRD配置的功率半导体器件适用于各种功率电子系统,特别是在需要高效能、高电压和高电流的应用中。以下是一些示例领域和对应的模块:
1. **工业电气控制模块:** 由于其高电压和高电流特性,这款器件非常适合用于工业电气控制模块,如变频器、电机驱动器和工业电源等。
2. **再生能源系统:** 该器件的高效能特性使其成为太阳能逆变器和风力发电系统中的理想选择,用于转换和管理可再生能源。
3. **电动汽车驱动器:** 随着电动汽车的普及,对功率半导体器件的需求也在增加。这款器件可用于电动汽车的电机控制模块,实现高效能和高性能的驱动。
4. **UPS(不间断电源)系统:** 在UPS系统中,需要高效能和可靠性的功率半导体器件来确保电力的稳定输出。该器件可以用于UPS系统中的逆变器和整流器模块。
总之,这款VBMB16I25S器件在各种需要高功率、高效能和高可靠性的应用中都能发挥出色的性能,包括工业控制、再生能源、电动汽车和UPS等领域的电力电子模块。
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