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UT3419G-AE3-R-VB一个P沟道SOT23-3封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:UT3419G-AE3-R-VB
丝印:VB2290
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-20V
- 最大电流:4A
- 静态导通电阻(RDS(ON)):57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V
- 阈值电压(Vth):-0.81V
- 封装类型:SOT23

应用简介:
UT3419G-AE3-R-VB是一款P沟道MOSFET晶体管,适用于多种低电压和低导通电阻的应用领域。以下是一些潜在的应用领域:

1. 电源管理:UT3419G-AE3-R-VB可用于电源开关、稳压器和电源管理应用,支持高效的电能传输和管理。

2. 电池保护:在电池管理系统中,该MOSFET可用于电池保护和充放电管理,确保电池的安全和性能。

3. 低压断路器:UT3419G-AE3-R-VB可用于低压断路器,实现对电路的快速切断,用于电子设备和工业应用。

4. 电源逆变器:该MOSFET可用于电源逆变器,将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器和UPS系统。

5. 信号开关:在各种信号开关应用中,UT3419G-AE3-R-VB可以用于控制信号通断,用于通信设备和自动化系统。

总之,UT3419G-AE3-R-VB是一款低压P沟道MOSFET晶体管,适用于多种低电压、低导通电阻的应用,提供卓越的性能和可靠性。它在电源管理、电池管理、断路器、逆变器和信号开关等领域具有广泛的应用。

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