型号：SUP85N03-3M6P-GE3-VB
丝印：VBM1303
品牌：VBsemi
参数：
- 沟道类型：N沟道
- 额定电压：30V
- 最大持续电流：120A
- 静态导通电阻 (RDS(ON))：3mΩ @ 10V, 4mΩ @ 4.5V, 20Vgs (±V)
- 阈值电压 (Vth)：1.7V
- 封装：TO220

详细参数说明：
SUP85N03-3M6P-GE3-VB 是一款 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）器件，具有 30V 的额定电压和极大持续电流为 120A。它的 RDS(ON) 在不同电压下表现出色良好，分别为 3mΩ @ 10V 和 4mΩ @ 4.5V。此外，它的阈值电压（Vth）为 1.7V。

应用简介：
SUP85N03-3M6P-GE3-VB 是一款高功率 N 沟道 MOSFET，适用于需要高电流承受能力的应用。它通常用于电源开关、电机控制、电源转换器、电源逆变器、电池保护电路和其他需要高性能 MOSFET 的领域的模块。TO220 封装使其适用于各种高功率应用，如电源放大器、电动工具、工业控制和汽车电子。这款 MOSFET 具有低导通电阻和高电流承受能力，可提供卓越的性能和高效率，是需要高功率开关的应用的理想选择。