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SUD08P06-155L-E3-VB一个P沟道TO252封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:SUD08P06-155L-E3-VB
丝印:VBE2610N
品牌:VBsemi

详细参数说明:
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-60V
- 额定电流:-38A
- 导通电阻:61mΩ(在10V下) 72mΩ(在4.5V下)
- 门源极电压:20V(正负)
- 阈值电压:-1.3V
- 封装类型:TO252

应用简介:
这款VBsemi品牌的SUD08P06-155L-E3-VB是一款P沟道功率场效应晶体管。它具有高电压和大电流的额定值,适用于需要承受高功率的电路模块。其导通电阻低,能够提供较小的功率损耗。该器件的封装类型为TO252,易于安装。

应用领域:
该产品广泛应用于需要应对高功率的电路模块,例如:
- 电子电源
- 电动工具
- 能源管理系统
- 电动汽车充电器
- 工业自动化控制系统等

总之,SUD08P06-155L-E3-VB适用于需要高功率、低导通电阻和较高电压电流的应用领域,如电子电源、电动工具、能源管理系统等。

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