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STS7PF30L-VB一个P沟道SOP8封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:STS7PF30L-VB
丝印:VBA2317
品牌:VBsemi
参数:
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-30V
- 最大连续电流:-7A
- 静态开启电阻(RDS(ON)):23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V
- 门源极电压(Vgs):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):-1.37V
- 封装类型:SOP8

应用简介:
STS7PF30L-VB 是一款P沟道MOSFET,适用于需要高性能功率开关的电子应用。以下是一些可能的应用领域模块:

1. **电源开关模块**:该MOSFET可用于电源开关模块,以实现电源的高效开关和调节。它适用于便携设备、电源管理系统和低电压电源应用。

2. **电池保护模块**:在需要保护电池免受过放电和过充电的应用中,STS7PF30L-VB 可用于电池保护电路,确保电池的安全运行。

3. **DC-DC变换器**:在需要高效的DC-DC变换器中,这款MOSFET可用于帮助实现电压升降和电能转换。它适用于便携式设备、通信设备和工业应用。

4. **电机驱动模块**:STS7PF30L-VB 可用于电机驱动和控制模块,包括直流电机、步进电机和无刷直流电机驱动。

5. **电流控制模块**:在需要高性能电流控制的应用中,这款MOSFET可以用于电流传感器和电流放大器模块。

STS7PF30L-VB 具有P沟道,适用于需要P沟道MOSFET的应用,特别是在需要低导通电阻的场合。在实际应用中,请务必遵守数据手册中的电气规格和工作条件,以确保最佳性能和可靠性。

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