型号: STN8205AAST8RG-VB

丝印: VBC6N2022

品牌: VBsemi

参数:

- 封装: TSSOP8
- 沟道类型: N—Channel
- 额定电压(V): 20V
- 额定电流(A): 4.8A
- 开态电阻(RDS(ON)): 20mΩ / 22mΩ @ VGS=4.5V, VGS=15V
- 阈值电压(Vth): 0.6~2V

封装: TSSOP8

重新生成的详细参数说明和应用简介:

STN8205AAST8RG-VB是一款N—Channel沟道MOSFET，采用TSSOP8封装。其主要参数包括20V的额定电压，4.8A的额定电流，以及在不同门源电压下的开态电阻。

**详细参数说明:**

1. **额定电压(V):** 20V - 这表示器件能够在20V的电压下正常工作。

2. **额定电流(A):** 4.8A - 这表示器件可以承受的最大电流为4.8安培。

3. **开态电阻(RDS(ON)):** 20mΩ / 22mΩ @ VGS=4.5V, VGS=15V - 这表示在不同的门源电压下，器件的导通状态时的电阻。在这个例子中，当门源电压为4.5V或15V时，开态电阻分别为20毫欧姆和22毫欧姆。

4. **阈值电压(Vth):** 0.6~2V - 这是器件的阈值电压范围，即MOSFET开始导通的门源电压范围。

**应用简介:**

STN8205AAST8RG-VB适用于多种领域的电源和开关电路，具体包括但不限于：

1. **电源开关:** 适用于电源开关电路，例如直流-直流（DC-DC）变换器。

2. **电池管理:** 在充放电控制电路中，提供高效的功率开关。

3. **LED驱动:** 在LED照明系统中，可用于N—Channel MOSFET的驱动电路。

4. **电源模块:** 适用于设计小功率电源模块，提供高效的电源解决方案。

5. **移动设备:** 在需要小型、高效电源管理的移动设备中，如智能手机、平板电脑等。

总的来说，STN8205AAST8RG-VB是一款低功率N—Channel MOSFET，适用于需要小电流和低开态电阻的各种电源和开关电路应用，特别在需要较低额定电压和小功率的场合，如电源开关、电池管理、LED驱动、电源模块和移动设备等领域。