**VBsemi STD5N20LT4-VB**

**详细参数说明:**
- 类型: N沟道场效应管 (N-Channel MOSFET)
- 额定电压(VDS): 200V
- 最大电流(ID): 4A
- 导通电阻(RDS(ON)): 810mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth): 3.32V
- 封装: TO252

**应用简介:**
该器件适用于低电压、中电流应用，特别是在以下领域模块中发挥作用：

1. **电源开关:**
- 在低功率电源开关模块中，用于开关电源以提供稳定的电压输出。

2. **LED照明:**
- 用于LED照明电源控制，实现高效的LED驱动。

3. **电源逆变器:**
- 适用于小型逆变器，如家用太阳能逆变器。

**使用领域:**
- 低功率电子设备
- LED照明
- 家用太阳能系统

**作用:**
- 提供可靠的电压开关
- 降低功率损耗
- 在小型电源系统中实现高效能源转换

**使用注意事项:**
1. 请按照数据手册中的建议工作条件操作。
2. 注意阈值电压的特定值，确保在设计中考虑这一参数。
3. 确保散热设计足够，以防止过热。
4. 在设计中考虑电流和电压的极限，以避免器件受损。