型号: STD30PF03LT4-VB

丝印: VBE2317

品牌: VBsemi

参数:
- 封装类型: TO252
- 沟道类型: P-Channel
- 额定电压: -30V
- 最大电流: -40A
- 开态电阻: RDS(ON) = 18mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = -1.7V

封装: TO252

**详细参数说明:**
1. **封装类型 (Package Type):** TO252，表明该器件使用TO252封装。
2. **沟道类型 (Channel Type):** P-Channel，指示这是一个P沟道MOSFET。
3. **额定电压 (Rated Voltage):** -30V，说明器件能够正常工作的最大电压。负值表示该器件是P沟道MOSFET。
4. **最大电流 (Maximum Current):** -40A，表示器件能够承受的最大电流。负值表示电流方向是从源极到漏极。
5. **开态电阻 (On-State Resistance):** RDS(ON) = 18mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，说明在特定的栅源电压下，开态时的电阻。
6. **阈值电压 (Threshold Voltage):** Vth = -1.7V，表示在栅源电压作用下，器件从关态切换到开态所需的电压。

**应用简介:**
STD30PF03LT4-VB是一款P-Channel MOSFET，适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. **电源开关:** 由于其P沟道性质，可用于电源开关和电源逆变器。
2. **电机驱动:** 适用于直流电机和步进电机的高功率驱动电路，提供高效的电流控制。
3. **电源逆变器:** 用于太阳能逆变器和其他电源逆变器，提供高效的能量转换。
4. **电源管理模块:** 适用于各种电源管理应用，如开关电源、电池管理等。

请注意，在具体设计中应仔细参考该器件的数据手册以及应用手册，以确保正确的使用和性能。