型号：SQD50P06-15L-GE3
丝印：VBE2625
品牌：VBsemi

详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-60V
- 最大电流：-50A
- 导通电阻：20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V
- 门源电压：20Vgs (±V)
- 门阈电压：-1.76Vth
- 封装：TO252

应用简介：
SQD50P06-15L-GE3是一款P沟道MOSFET，适用于负极电压控制和负载开关的高功率应用。其最大耐压为-60V，最大电流为-50A，具有低导通电阻和高性能。

该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于高功率DC-DC转换器、逆变器和电池管理系统等。
2. 高效功率开关模块：可用于高功率负载开关和电源控制器。
3. 电动工具：适用于驱动高功率电动工具中的负极电源控制和负载开关。

总之，SQD50P06-15L-GE3适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效功率开关模块和电动工具等。