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SPP04N60C3-VB一个N沟道TO220封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**SPP04N60C3-VB 详细参数说明:**

- **品牌:** VBsemi
- **丝印:** VBM165R04
- **封装:** TO220
- **参数:**
- N—Channel沟道
- 额定电压:650V
- 最大电流:4A
- RDS(ON):2200mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):3.5V

**应用简介:**

SPP04N60C3-VB是一款TO220封装的N沟道场效应晶体管,适用于中等电流和高电压的功率开关和放大应用。

**领域模块及作用:**

1. **电源开关:** 用于高电压电源模块的功率开关,提供可靠的电源开关解决方案。

2. **逆变器:** 在逆变器中发挥作用,将直流电源转换为交流电,广泛用于太阳能逆变器和电力系统。

3. **电子变换器:** 适用于电子变换器,如电源适配器和照明系统中的功率开关。

**使用注意事项:**

1. **电压和电流限制:** 不要超过规定的最大电压和电流,以防止器件损坏。

2. **温度控制:** 在操作过程中保持适当的温度,避免过热。

3. **静电防护:** 在处理和安装时采取防静电措施,以防止静电损害。

4. **阈值电压:** 确保正确的阈值电压,以确保器件在正常工作范围内。

以上信息仅供参考,具体应用需根据实际情况调整。

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