详细参数说明：

- 型号： SM3113NSUC-TRG-VB
- 丝印： VBE1303
- 品牌：VBsemi
- 类型： N沟道
- 额定电压：30V
- 额定电流：100A
- RDS(ON)：2mΩ@10V, 3mΩ@4.5V
- Vgs：20Vgs(±V)
- 阈值电压：1.9Vth(V)
- 封装：TO252

应用简介：

该产品是一款具有高性能的N沟道MOSFET，适用于各种应用领域。它具有低的导通电阻和高的开关速度，可以提供有效的电流控制和热稳定性，使其广泛应用于各种功率电子设备和模块中。

该产品适用于以下领域模块：

1. 电源模块：由于该MOSFET具有较低的导通电阻和较高的额定电流，能够提供稳定的电源输出，因此适用于配电系统、逆变器和稳压器等电源模块。

2. 电机驱动模块：在电机驱动模块中，该MOSFET可以提供高电流和低导通电阻，实现高效的电机控制。

3. 照明模块：由于该MOSFET具有较高的额定电流和低导通电阻，适用于LED驱动器和照明模块，能够提供高亮度和高效率的照明效果。

4. 汽车电子模块：在汽车电子模块中，该MOSFET可以用于电动汽车充电桩、电动车控制器、发动机控制单元等功率电子设备，提供高性能和稳定的功率控制。

总之，SM3113NSUC-TRG-VB是一款适用于各种功率电子设备和模块的高性能N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高额定电流和稳定的性能，可广泛应用于电源模块、电机驱动模块、照明模块和汽车电子模块等领域。