型号：SM1105NSV-VB
丝印：VBJ1101M
品牌：VBsemi
参数：
- N沟道
- 额定电压：100V
- 最大漏电流：5A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：100mΩ @ 10V, 120mΩ @ 4.5V, 20Vgs
- 阈值电压（Vth）范围：2V 至 4V
- 封装：SOT223

应用简介：
SM1105NSV-VB是一种N沟道场效应晶体管，适用于多种低功率和中功率电子应用，具有较低的导通电阻和较高的额定电压。以下是一些可能的应用领域和模块：

1. **电源管理**：这种N沟道MOSFET适用于低功率电源管理模块，如电源开关、电源管理单元和电源适配器。它有助于实现电路的高效率和可靠性。

2. **电池保护**：在便携式电子设备中，SM1105NSV-VB可以用于电池保护电路，以确保电池充电和放电过程中的安全和稳定性。

3. **信号开关**：这款MOSFET可用于低功率信号开关应用，如模拟信号切换、数字信号开关和信号放大器。

4. **电源开关**：在低功率电源开关电路中，它可用于控制和调整电源输出，以满足不同低功率电子设备的电能需求。

5. **电流调整模块**：SM1105NSV-VB也可以用于低功率电流调整模块，如LED驱动器、低功率电流调整电路和电源管理单元，以确保电路输出的稳定性和精确性。

总之，SM1105NSV-VB N沟道MOSFET适用于多种低功率和中功率应用，包括电源管理、电池保护、信号开关、电源开关和低功率电流调整模块等领域。它有助于实现低功率电子系统的高效能和可靠性。