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SIR462DP-T1-GE3-VB一个N沟道DFN8(5X6)封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
**产品型号:** SIR462DP-T1-GE3-VB

**丝印:** VBQA1308

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:DFN8(5X6)
- 沟道类型:N-Channel
- 额定电压:30V
- 额定电流:80A
- 导通电阻:RDS(ON)=7mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:Vth=0.82V

**应用简介:**
适用于多个领域模块,发挥以下作用:
1. **电源模块:** 在电源系统中,作为N-Channel功率开关,支持高电流和低导通电阻的电源开关控制。
2. **电机驱动:** 在电机控制模块中,通过高电流和低导通电阻,实现有效的电机驱动。
3. **电流逆变器:** 用于构建电流逆变电路,适用于高电流和低电阻的电力应用。

**使用注意事项:**
1. 请确保操作在额定电压和电流范围内,避免超过规定数值。
2. DFN8(5X6)封装需要考虑适当的散热和布局设计,以维持正常工作温度。
3. 在设计中考虑阈值电压Vth=0.82V,确保适当的信号电平。
4. 根据具体应用场景采取适当的保护机制,以应对潜在的过电流和过压情况。

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