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SI4532CDY-T1-GE3-VB一个N+P沟道SOP8封装的MOS管Datasheet参数视频讲解
型号:SI4532CDY-T1-GE3-VB

丝印:VBA5325

品牌:VBsemi

参数:

- 封装:SOP8
- 沟道类型:N+P—Channel
- 额定电压:±30V
- 最大电流:9A(N-Channel)/-6A(P-Channel)
- 开态电阻:RDS(ON)=15mΩ@VGS=10V(N-Channel), 42mΩ@VGS=20V(P-Channel)
- 阈值电压:Vth=±1.65V

应用简介:

SI4532CDY-T1-GE3-VB是一款N+P—Channel沟道的场效应管,封装为SOP8。其主要应用领域包括但不限于:

1. **电源开关模块:** 适用于电源开关电路,提供可靠的电源开关功能,广泛应用于电源管理系统和便携电子设备。

2. **电源逆变器:** 在太阳能逆变器等领域,可用于实现直流到交流的转换,为可再生能源系统提供电能输出。

3. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行调控的电路,如电流源、电流控制器等。

4. **电池保护模块:** 在锂电池保护电路中,用于实现对电池的过放和过充保护。

5. **电机驱动:** 在小型电机的驱动电路中,如电动工具、小型电动车等。

SI4532CDY-T1-GE3-VB的特性使其在以上应用中表现卓越,是一款多功能、可靠的场效应管。

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